De la Cruz, Rosa MaríaKanyinda-Malu, ClementMuñoz Santiuste, Juan Enrique2024-01-262024-01-2620141https://hdl.handle.net/10115/29037Hemos investigado teóricamente las propiedades ópticas de mezclas de distribuciones core-shell de semiconductors II-VI tipo I para su posible aplicación como material con función dieléctrica negativa. Se describe la respuesta óptica no local de los semiconductores de puntos cuánticos (QDs) usando la función dieléctrica de los excitones resonantes, mientras que el material shell se modela con el formalismo de Demangeot. Conseguir una pérdida nula a una determinada frecuencia; es decir eff = ’eff + i ’’eff con ’eff < 0 y ’’eff = 0 es de importancia fundamental en nanofotónica. Los estados resonantes en semiconductores proporcionan una fuente de función dieléctrica negativa. Además, el semiconductor proporciona la posibilidad de bombeo óptico o eléctrico para conseguir mecanismo de ganancia que puede eliminar la pérdida. Hemos analizado las condiciones óptimas que tienen que satisfacer para lograr semiconductores de índice negativo. Comparando con puntos cuánticos semiconductores II-VI en la literatura, la inclusión de fonones y de shells en eff junto con la aproximación de barrera finita, hemos encontrado comportamientos cualitativos similares paraeff. La condición sin perdidas (lossless) junto con ’eff se discute en términos de tamaños, factores de volumen y medios envolventes de las distribuciones de mezclas. Además, hemos estimado la potencia óptica para mantener la densidad de nanocristales en estados excitados y este valor es menor que el proviamente obtenido para puntos cuánticos II-VI. El parámetro de impacto de Physica E es 3,3, el CiteScores es 6.3 y pertenece al Q2 en el ámbito de Física de Materiales. El artículo tiene 2 citas.We theoretically investigate optical properties of II-VI core-shell distribution mixtures made of two type-I sized-nanoshells as a plausible negative dielectric function material. The nonlocal optical response of the semiconductor QD is described by using a resonant excitonic dielectric function, while the shell response is modeled with Demangeot formula. Achieving the zero-loss at an optical frequency ω, i.e., εeff = ε'eff + iε''eff with ε 'eff < 0 and ε''eff = 0, is of fundamental importance in nanophotonics. Resonant states in semiconductors provide a source for negative dielectric function provided that the dipole strength and the oscillator density are adequate to offset the background. Furthermore, the semiconductor offers the prospect of pumping, either optically or electrically, to achieve a gain mechanism that can offset the loss. We analyse optimal conditions that must be satisfied to achieve semiconductor-based negative index materials. By comparing with II-VI semiconductor quantum dots (QDs) previously reported in the literature, the inclusion of phonon and shell contributions in the εeff along with the finite barrier Effective Mass Approximation (EMA) approach, we found similar qualitative behaviours for the εeff.enghttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/deed.esLossless optical materialII-VI core-shell distributionMaxwell-garnet theoryOptical propertyinfo:eu-repo/semantics/articleCC BY-NC-ND