OPTIMIZACIÓN DE MEMRISTORES DE PEROVSKITA VARIANDO EL ESPESOR DE LA CAPA BUFFER

Abstract

FABRICACIóN DE MEMRISTORES BASADOS EN EL HALURO ORGANOMETáLICO CH3NH3PBI3. EL MEMRISTOR SE FABRICA SOBRE SUSTRATO DE VIDRíO Y LA ESTRUCTURA DE CAPAS DEL DISPOSITIVO SERá FTO/PEROVSKITA/PMMA/AG. SE VARIARá EL ESPESOR DE LA CAPA DE BUFFER(PMMA) Y SE DETERMINARá EL ESPESOR óPTIMO QUE MEJORA LAS PRESTACIONES DEL DISPOSITIVO. LOS DISPOSITIVOS SE CARACTERIZARáN EN CORRIENTE CONTINUA, Y DURABILIDAD.